防雷击电磁脉冲6.1基本规定

6.1.1在工程的设计阶段不知道电子系统的规模和具体位置的情况下，若预计将来会有需要防雷击电磁脉冲的电气和电子系统，应在设计时将建筑物的金属支撑物、金属框架或钢筋混凝土的钢筋等自然构件、金属管道、配电的保护接地系统等与防雷装置组成一个接地系统，并应在需要之处预埋等电位连接板。

6.1.2当电源采用 TN系统时，从建筑物总配电箱起供电给本建筑物内的配电线路和分支线路必须采用 TN -S系统。

6.2 防雷区和防雷击电磁脉冲

6.2.1防雷区的划分应符合下列规定：

    1本区内的各物体都可能遭到直接雷击并导走全部雷电流，以及本区内的雷击电磁场强度没有衰减时，应划分为LPZ0_A区。

2本区内的各物体不可能遭到大于所选滚球半径对应的雷电流直接雷击，以及本区内的雷击电磁场强度仍没有衰减时，应划分为LPZ0_B区。

3本区内的各物体不可能遭到直接雷击，且由于在界面处的分流，流经各导体的电涌电流比 LPZ0_B区内的更小，以及本区内的雷击电磁场强度可能衰减，衰减程度取决于屏蔽措施时，应划分为LPZ1区。

4需要进一步减小流入的电涌电流和雷击电磁场强度时，增设的后续防雷区应划分为LPZ2…n后续防雷区。

6.2.2安装磁场屏蔽后续防雷区、安装协调配合好的多组电涌保护器，宜按照需要保护的设备的数量、类型和耐压水平及其所要求的磁场环境选择（图 6.2.2）。

(a)采用大空间屏蔽和协调配合好的电涌保护器保护

             注：设备得到良好的防导入电涌的保护， U₂大大小于 U₀和 I₂大大小于 I₀，以及 H ₂大大小于 H₀防辐射磁场的保护。

(b)采用 LPZ1的大空间屏蔽和进户处安装电涌保护器的保护

               注：设备得到防导入电涌的保护， U₁小于 U₀和 I₁小于 I₀，以及 H₁小于 H₀防辐射磁场的保护。

(c)采用内部线路屏蔽和在进入 LPZ1处安装电涌保护器的保护

              注：设备得到防线路导入电涌的保护， U₂小于 U₀和 I₂小于 I₀，以及 H₂小于 H₀防辐射磁场的保护。

(d)仅采用协调配合好的电涌保护器保护

                 注：设备得到防线路导入电涌的保护， U₂大大小于 U₀和 I₂大大小于I ₀，但不需防 H₀辐射磁场的保护。

图 6.2.2防雷击电磁脉冲

MB—总配电箱； SB—分配电箱； SA—插座

6.2.3在两个防雷区的界面上宜将所有通过界面的金属物做等电位连接。当线路能承受所发生的电涌电压时，电涌保护器可安装在被保护设备处，而线路的金属保护层或屏蔽层宜首先于界面处做一次等电位连接。

注：LPZ0_A与 LPZ0_B区之间无实物界面。

6.3屏蔽、接地和等电位连接的要求

6.3.1屏蔽、接地和等电位连接的要求宜联合采取下列措施：

1所有与建筑物组合在一起的大尺寸金属件都应等电位连接在一起，并应与防雷装置相连。但第一类防雷建筑物的独立接闪器及其接地装置除外。

2在需要保护的空间内，采用屏蔽电缆时其屏蔽层应至少在两端，并宜在防雷区交界处做等电位连接，系统要求只在一端做等电位连接时，应采用两层屏蔽或穿钢管敷设，外层屏蔽或钢管应至少在两端，并宜在防雷区交界处做等电位连接。